Vishay Siliconix SiRS5700DP 溝道功率 MOSFET

Vishay 推出采用 PowerPAK® SO-8S（QFN 6 x 5）封裝的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 溝道功率 MOSFET，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用 PowerPAK SO-8 封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP 的總導通電阻降低了 68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中 MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數（ FOM ）降低了 15.4 %，RthJC 降低了 62.5 %，而連續漏極電流增加了 179 %。

日前發(fā)布的器件具有業(yè)內先進(jìn)的導通電阻（10 V 時(shí)為 5.6 mΩ）以及導通電阻和柵極電荷乘積 FOM（336 mΩ*nC），可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此，設計人員能夠提高效率，滿(mǎn)足下一代電源的要求，例如 6 kW AI 服務(wù)器電源系統。此外，PowerPAK SO-8S 封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實(shí)現高達 144 A 的持續漏極電流，從而提高功率密度，同時(shí)提供強大的 SOA 能力。

SiRS5700DP 非常適合同步整流、DC/DC 轉換、熱插拔開(kāi)關(guān)和 OR-ing 功能。典型應用包括服務(wù)器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲；通信電源；太陽(yáng)能逆變器；電機驅動(dòng)和電動(dòng)工具；以及電池管理系統。MOSFET 符合 RoHS 標準且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò) 100 % Rg 和 UIS 測試，符合 IPC-9701 標準，可實(shí)現更加可靠的溫度循環(huán)。器件的標準尺寸為 6 mm × 5 mm，完全兼容 PowerPAK SO-8 封裝。