Vishay 導通電阻性能80 V功率MOSFET——SiEH4800EW

威世科技Vishay采用無(wú)引線(xiàn)鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內先進(jìn)導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應用的效率。與相同尺寸的競品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的導通電阻低15 %，而RthJC低18 %。

Vishay Siliconix SiEH4800EW在10 V下的導通電子典型值為0.88 m，最大限度降低了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了熱性能。這款節省空間的器件體積為8 mm x 8 mm，與采用TO-263封裝的MOSFET相比，PCB面積減少50 %，而且其厚度僅為1 mm。

SiEH4800EW采用融合的焊盤(pán)，將源焊盤(pán)的可焊面積增加到3.35 mm2，比傳統PIN焊接面積大四倍。這降低了MOSFET和PCB之間的電流密度，從而降低了電遷移的風(fēng)險，使設計更加可靠。此外，器件易于吸附焊錫的側翼增強了可焊性，同時(shí)更容易通過(guò)目視檢查焊點(diǎn)的可靠性。

這款MOSFET的常適合同步整流和Oring應用。典型應用包括電機驅動(dòng)控制器、電動(dòng)工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統、機器人和3D打印機。在這些應用中，該器件可在+175 ℃的高溫下工作，而其BWL設計可將寄生電感降至最低，同時(shí)使電流能力最大化。

MOSFET符合RoHS標準，無(wú)鹵素，并且經(jīng)過(guò)100 %的Rg和UIS測試。

對比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW對比