POWEREX混合IGBT模塊QID1210006

Powerex 繼續使用新的功率半導體技術(shù)碳化硅 (SiC) 擴展我們的產(chǎn)品供應。在需要低損耗、高頻開(kāi)關(guān)和/或高溫環(huán)境的電源應用中，與傳統的硅基器件相比，SiC 具有顯著(zhù)優(yōu)勢。該產(chǎn)品線(xiàn)包括SiC（碳化硅）MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）模塊以及混合 Si/SiC（Si IGBT/SiC SBD）模塊。

• 低 ESW（關(guān)閉）
• 氮化鋁隔離
• 分立式超快恢復飛輪碳化硅肖特基二極管
• 低內部電感
• 每個(gè)模塊 2 個(gè)獨立開(kāi)關(guān)
• 隔離底板，便于散熱
• AlSiC 基板
• 符合 RoHS 標準

節能電源系統，例如：風(fēng)扇；泵；消費電器

高頻型電力系統，例如：UPS； 高速電機驅動(dòng)器；感應加熱；焊機; 機器人技術(shù)

高溫電力系統，例如：電動(dòng)汽車(chē)和航空系統中的電力電子