BD SENSORS硅傳感器iS 4

利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變?。┰诩铍妷盒盘栞敵?，經(jīng)過(guò)計算機溫度補償、激光調阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產(chǎn)出具有標準輸出信號的壓力變送器

公稱(chēng)壓力 0 至 10 巴

符合 V 1.1 規范的 IO-Link

精度 0.5 % FSO

硅傳感器，RTV

結構緊湊

產(chǎn)地：德國

輸入壓力范圍

額定壓力表：10 bar

超壓：13 bar

輸出信號 / 電源

標準 IO-Link（測量值和狀態(tài)傳輸）/ V_S = 18 至 30 VDC

SIO（開(kāi)關(guān)輸出），通過(guò) LED 指示狀態(tài)（綠色）

IO-Link：V 1.1 / 從站 / 智能傳感器配置文件

數據傳輸：COM2 38.4 kbit/s

模式：SIO / IO-Link (COMx)

標準：IEC 61131-2、IEC 61131-9

精度：≤ ± 0.5 % FSO

開(kāi)關(guān)電流（SIO 模式）：max. 200 mA

開(kāi)關(guān)頻率：max. 200 Hz

開(kāi)關(guān)周期：> 100 x 10⁶

長(cháng)期穩定性：≤ ± 0.3 % FSO /年（參考條件下

開(kāi)啟時(shí)間 SIO 模式：約. 20 ms

響應時(shí)間 SIO 模式：< 4 ms

測量速率：400 Hz

熱效應（偏移和跨度）/允許溫度

公差帶：≤ ± 2 % FSO

TC，平均值：≤ ± 0.4 % FSO / 10 K

補償溫度范圍：0 至 50 °C

中 / 電子 / 環(huán)境溫度：-25 至 85 °C

存儲溫度：-40 至 85 °C

電氣保護

短路保護：長(cháng)久性

反極性保護：無(wú)損壞，但也無(wú)功能

電磁兼容性：發(fā)射和抗擾性符合 EN 61326 標準

機械與設備工程、暖通空調